Схема измерения крутизны полевого транзистора

Ciss Input Capacitance — входная емкость, образованная условными паразитными конденсаторами затвор-исток и затвор-сток. Главная часть устройства — миллиамперметр РА1 и вольтметр PV1 — собрана из готовых узлов мультиметров M890D. Основа этих мультиметров — широко известная микросхема ICL7106. Эти приборы выбраны из-за удобного большого корпуса, чтобы снизить трудозатраты при изготовлении измерителя параметров. Каждая характеристика должна быть подписана. На выходных характеристиках выделить крутую и пологую области.

Для настройки вольтметра образцовый вольтметр подключают к выводам «3» и «И», резистором прибора устанавливают напряжение затвора 10 В и резистором регулировки вольтметра прибора устанавливают те же показания. Более точные результаты можно получить, используя при рассмотрении не входную емкость, а полный заряд, который необходимо подать/извлечь из затвора для изменения состояния транзистора. Принцип действия такого транзистора практически не отличается от горизонтальной структуры, приведенной выше. Так же следует заметит что, все эти штуки (включая DAC’ка) для синхронной работы, должны садиться на один тактовый генератор, а если быть точнее делитель тактовой частоты процессора.
Ток насыщения стока Ic0 и напряжение отсечки Uотс принято измерять при напряжении на стоке, равном 10 В, и напряжении на затворе Uз.и=0. Эти параметры характеризуют в то же самое время положение точки перегиба характеристики. Соответственно различают крутизну характеристики по первому и второму затворам, напряжение отсечки первого и второго затворов и т. д. Подача напряжений на затворы ничем не отличается от подачи напряжения на затвор однозатворного МОП-транзистора. Цифровые показания несколько облегчают сравнение транзисторов и подбор пар для дифференциальных каскадов. Внешние напряжения прикладывают так, что между электродами стока и истока протекает электрический ток, а напряжение, приложенное к затвору, смещает электрический переход в обратном направлении. Так, прочитав даташит, каждый разработчик сможет подобрать подходящий силовой или не очень, полевой или IGBT-транзистор для проектируемого либо ремонтируемого силового преобразователя, будь то сварочный инвертор, частотник или любой другой силовой импульсный преобразователь. Исток в полевом транзисторе подобен катоду вакуумного триода, затвор — сетке, сток — аноду.

Похожие записи: